Verfahren zur Erzeugung vertikaler strukturierter Schichten aus Siliziumdioxid

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung strukturierter Siliziumdioxidschichten auf senkrecht oder geneigt zu einer Substratoberflache angeordneten Prozessflachen. Durch inkonforme Abscheidung einer Reaktivkomponente wird zunachst eine Starterschicht (17) erzeugt, welche Abgangsgruppen aufweist. Anschliesend wird Tris(tert.-butoxy)silanol aufgegeben, welches selektiv nur auf der Starterschicht zur Ausbildung einer Siliziumdioxidschicht (18) fuhrt.