Plättchenförmiges Wachstum von GaAs im Ga/H2/AsCl3-System

Es wird uber das plattchenformige Wachstum von GaAs-Kristallen durch chemische Transportreaktion berichtet. Wachstumsbedingungen, Kristallmorphologie und einige kristallographische und elektrische Eigenschaften der GaAs-Plattchen werden mitgeteilt. An den Kristallen konnte keine Zwillingsbildung festgestellt werden. It is reported on the growth of plate-like GaAs crystals by chemical transport reaction. Growth conditions, crystal morphology and some crystallographic and electrical properties of the GaAs crystals are given. No twinning was observed.