Integrierte CMOS-Schaltungsvorrichtungen und Substrate mit eingegrabenen Silizium-Germanium-Schichten und Verfahren zur Herstellung derselben

Integrierte CMOS-Schaltungsvorrichtungen enthalten eine elektrisch isolierende Schicht und eine unbeanspruchte und spannungsfreie Siliziumaktivschicht auf der elektrisch isolierenden Schicht. Eine isolierte Gateelektrode ist ebenfalls auf einer Oberflache der unbeanspruchten oder spannungsfreien Siliziumaktivschicht vorgesehen. Ferner ist auch eine Si¶1-x¶Ge¶x¶-Schicht zwischen der elektrisch isolierenden Schicht und der unbeanspruchten oder spannungsfreien Siliziumschicht angeordnet. Die Si¶1-x¶Ge¶x¶-Schicht bildet einen ersten Ubergang mit der unbeanspruchten oder spannungsfreien Siliziumaktivschicht und besitzt eine gestaffelte bzw. gradientenformig verlaufende Konzentration von Ge, die monoton in einer ersten Richtung abnimmt, welche sich von einem Spitzenwert aus zu der Oberflache der unbeanspruchten oder spannungsfreien Siliziumaktivschicht hin erstreckt. Der Spitzen-Ge-Konzentrationswert ist groser als x = 0,15 und die Konzentration von Ge in der Si¶1-x¶Ge¶x¶-Schicht variiert von dem Spitzenwert aus zu einem Wert hin, der kleiner ist als etwa x = 0,1, und zwar bei einem ersten Ubergang. Die Konzentration von Ge an dem ersten Ubergang kann abrupt verlaufen. Bevorzugter variiert die Konzentration von Ge in der Si¶1-x¶Ge¶x¶-Schicht von dem Spitzenwert aus, bei dem gilt 0,2 < x < 0,4 zu einem Wert hin, bei dem gilt x = 0, und zwar bei dem ersten Ubergang. Die Si¶1-x¶Ge¶x¶-Schicht besitzt auch ein rucklaufiges Arsendotierungsprofil darin, und zwar relativ zur ...