8．9W／mm高功率密度SiC MESFET器件研制

基于自主研发的碳化硅（SiC）材料外延技术，优化了材料各层结构及参数，减小了Al记忆效应，最终得到了高质量SiC外延片。采用自主研发成熟的SiCMESFET工艺平台，制作了多凹栅器件结构，优化了凹槽尺寸，采用细栅制作技术完成了栅电极制作，最终得到了不同栅宽的SiCMESFET芯片。突破了大栅宽芯片流片、封装及大功率脉冲测试技术，研制成功了微波功率特性良好的MESFET器件。微波测试结果表明，在2GHz脉冲条件下，0．25mm栅宽器件，输出功率密度达到8．96W／mm，功率附加效率达到30％。单胞20mm大栅宽器件，3．4GHz脉冲条件下，功率输出达到94W，功率附加效率达到22．4％。