Diode electroluminescente ingan a geometrie verticale

On decrit une diode electroluminescente a geometrie verticale qui est capable d'emettre de la lumiere dans les parties rouge, verte, bleue, violette et ultraviolette du spectre electromagnetique. La diode electroluminescente comprend un substrat conducteur au carbure de silicium, un puits quantique InGaN, une couche tampon conductrice situee entre le substrat et le puits quantique, une couche de nitrure de gallium non dopee situee respectivement sur chaque surface du puits quantique, et des contacts ohmiques presents suivant une orientation a geometrie verticale.