ヒートシンク付パワーモジュール用基板、及び、ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法

【課題】フラックスを用いることなく常圧条件下において強固にろう付けされてなるヒートシンク付パワーモジュール用基板、及び、ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法を提供する。 【解決手段】絶縁層の一方の面に回路層が配設されたパワーモジュール用基板と、このパワーモジュール用基板の他方の面側に接合されたヒートシンクと、を備えたヒートシンク付パワーモジュール用基板であって、前記ヒートシンクの接合面及び前記パワーモジュール用基板の接合面が、それぞれアルミニウム又はアルミニウム合金で構成されており、前記ヒートシンクと前記パワーモジュール用基板との接合界面には、Ａｌ−Ｓｉ共晶組織にＭｇを含むＭｇ含有化合物５２（ＭｇＯを除く）が分散した接合層５０が形成されており、接合層５０の厚さｔが５μｍ以上８０μｍ以下の範囲内とされている。 【選択図】図２