Caractérisation en bruit des photodiodes P.I.N. Hg1-x Cdx Te à λ = 1,3 μm
1984
Le resultat essentiel de cette caracterisation par des mesures de bruit basses frequences est que la qualite des photodiodes P.I.N. est suffisante pour envisager de les transformer en photodetecteurs a avalanche
- Correction
- Source
- Cite
- Save
- Machine Reading By IdeaReader
1
References
5
Citations
NaN
KQI