Croissance des structures InGaAs/GaAs par EPVOM

L'elaboration des couches InGaAs de bonne qualite sur des substrats GaAs par EPVOM passe par l'optimisation des conditions et des parametres de croissance. La reflectometrie laser (632.8 nm) presente une solution adequate permettent le suivi in situ de l'epitaxie. La modelisation des signaux de reflectivite permet la determination de certains parametres tels que les constantes optiques et les epaisseurs des materiaux. L'utilisation de la photoluminescence et de la diffraction des rayons x a haute resolution aide a une meilleure comprehension des proprietes optiques, morphologiques et structurales des heterostructures a base d'InGaAs/GaAs. Cette etude constitue un prelude pour aborder les quaternaires InGaAsX (avec X = Bi,N) grâce a leur interet particulier dans la realisation des dispositifs en optoelectronique. De plus, la structure InGaAs/GaAs constitue un exemple typique pour etudier les contraintes, le phenomene de segregation et les structures quantiques. Cet ouvrage s'adresse aux etudiants des troisiemes cycles universitaires ainsi qu'aux chercheurs et ingenieurs se perfectionnant dans ce domaine.