PROCÉDÉ PERMETTANT DE PRODUIRE UNE TRANCHE ÉPITAXIALE EN CARBURE DE SILICIUM (SiC)

L'invention concerne un procede permettant de produire une tranche epitaxiale en carbure de silicium (SiC), ledit procede comprenant : une etape consistant a cuire sous vide un element de materiau carbone revetu a un degre de vide egal ou inferieur a 2,0 × 10 -3 Pa dans un four de cuisson sous vide pour une utilisation exclusive; une etape consistant a placer l'element de materiau carbone revetu dans un appareil de production de tranche epitaxiale; et une etape consistant a disposer un substrat de SiC dans l'appareil de production de tranche epitaxiale et a developper par epitaxie un film epitaxial de SiC sur le substrat de SiC.