High photoelectric conversion efficiency solar cell manufacturing method and a high photoelectric conversion efficiency solar cells

本発明は、単結晶シリコン基板を用いて、単結晶シリコン太陽電池を製造する太陽電池の製造方法であって、単結晶シリコン基板を８００℃以上１２００℃以下で熱処理する高温熱処理工程を含み、該高温熱処理工程は、単結晶シリコン基板を熱処理装置に装填する搬送ステップと、単結晶シリコン基板を加熱する加熱ステップと、単結晶シリコン基板を８００℃以上１２００℃以下の所定の温度に保つ保温ステップと、単結晶シリコン基板を冷却する冷却ステップとを有し、高温熱処理工程において、搬送ステップ及び加熱ステップを通して単結晶シリコン基板の温度が４００℃以上６５０℃以下となる時間を５分以内とする太陽電池の製造方法である。 これにより、光電変換効率が高く基板面内で特性が均一である太陽電池を製造することができる太陽電池の製造方法が提供される。