Chalcogenide Random Access Memory Cell with Structure of W Sub-Microtube Heater Electrode

为了减少 chalcogenide 随机的重设电流，存取存储器，有 260/100 nm 的外部 / 内部的直径的一个 W sub-microtube 加热器电极，与标准 0.18-μm 技术被制作，第一次被建议完成大约 0.5 妈的重设电流。原因可以是 sub-microtube 增加电极边的数字，因为 sub-microtube 电极的边上的热密度通常最高，热效率极大地被改进。