Transistor en couches minces et procédé de fabrication de celui-ci

La presente invention porte sur un transistor en couches minces dans lequel des caracteristiques de transistor telles qu'un courant de drain et une tension de seuil sont ameliorees, et sur un procede de fabrication de celui-ci. La presente invention fournit un transistor en couches minces comportant une electrode de source (108), une electrode de drain (109), une couche de semi-conducteur (105), une electrode de grille (103), et une couche d'isolant (104) ; la couche de semi-conducteur (105) contenant un oxyde metallique composite obtenu par ajout a un premier oxyde metallique d'un oxyde ayant une energie de dissociation de l'oxygene qui est superieure de 200 kJ/mol a l'energie de dissociation de l'oxygene du premier oxyde metallique, ainsi la quantite de perte d'oxygene est commandee ; et la couche d'isolant (104) comportant une couche de SiO 2 , une premiere couche a permittivite elevee, et une seconde couche a permittivite elevee, ainsi les dipoles generes au niveau de la frontiere entre la couche de SiO 2 et les couches a permittivite elevee sont utilises pour commander la tension de seuil.