Dispositif à semi-conducteurs et appareil électronique

L'invention porte sur un dispositif a semi-conducteurs qui comprend un oxyde-semi-conducteur de taille reduite et dont les caracteristiques favorables sont conservees. Le dispositif a semi-conducteurs comprend une couche oxyde-semi-conducteur, une electrode de source et une electrode deversoir en contact avec la couche oxyde-semi-conducteur, une electrode de grille chevauchant la couche oxyde-semi-conducteur, et une couche d'isolation de grille entre la couche oxyde-semi-conducteur et l'electrode de grille. L'electrode de source ou l'electrode deversoir comprend une premiere couche conductrice et une seconde couche conductrice qui possedent une region etendue dans une direction de longueur de canal a partir d'une face d'extremite de la premiere couche conductrice. La couche d'isolation de paroi laterale, qui presente une longueur d'une surface inferieure dans la direction de longueur de canal plus courte que la longueur d'une direction de longueur de canal de la region etendue de la seconde couche conductrice, est disposee sur la region etendue.