具有热稳定性的Ge/Ni/TiWN/Au与n—GaAs接触性能的研究
1994
采用Ge/Ni/TiWN/Au多层金属化结构与n-GaAs的固-固相反应来获得理想的欧姆接触性能。经600℃热处理或获得7.3×10^-^7Ω.cm的最小接触电阻率,俄歇能谱分析表明TiWN与Au之间,以及它们与GaAs界面之间的互扩散较小,具有良好的热稳定性。
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