Étude en simulation et conception d'un transistor bipolaire (BJT) 10 kV en 4H-SiC

RESUME – Ce papier presente les resultats obtenus en simulation sur l'etude d'un transistor bipolaire de puissance en carbure de silicium (SiC) au sein de Supergrid. Cet ITE (Institut pour la Transition Energetique) a pour objectif de penser les reseaux de transport electrique de demain, ou l'acheminement se fera en courant continu (DC) et a tres haute tension pour limiter les pertes. L'un des objectifs est de concevoir un interrupteur de puissance haute tension 10 kV et fort courant pour divers applications de transformateurs MVDC a rendement eleve. Nous etudions notamment l'influence de la structure et des parametres geometriques de la base sur la tenue en tension et le gain en emetteur commun du composant. Se placant dans un contexte de realisation industrielle, ces composants devront etre optimises pour tenir des tensions d'au moins 10 kV, tout en limitant les pertes en commutation, en conduction et a la commande. Nous visons egalement un calibre en courant de 50 A par puce