Dispositif semi-conducteur ayant une electrode de grille recouverte de siliciure et procede de fabrication correspondant

La presente invention se rapporte a un dispositif semi-conducteur, a un procede de fabrication de ce dispositif et a un procede de fabrication d'un circuit integre. Le dispositif semi-conducteur (100), comprend, entre autres elements possibles, une electrode de grille recouverte de siliciure (150) disposee sur un substrat (110), ladite electrode de grille recouverte de siliciure (150) ayant des ecarteurs (160) de parois laterales de grille situes sur ses parois laterales. Ce dispositif semi-conducteur (100) comprend par ailleurs des regions source/drain (170) situees dans le substrat (110) a proximite de l'electrode de grille recouverte de siliciure (150), et des regions source/drain recouvertes de siliciure (180) situees dans les regions source/drain (170) et au moins partiellement sous les espaceurs de parois laterales de grille (160).