Über Silicid‐ und Germanidchalkogenide des Thoriums

Die Verbindungen ThSiS, ThSiSe, ThSiTe, ThGeS, ThGeSe und ThGeTe wurden durch Synthese aus den Elementen bei Temperaturen zwischen 800 und 1050°C dargestellt. Fur die rontgenographische Strukturuntersuchung konnten Einkristalle der Verbindung ThGeS gezuchtet werden. ThGeS kristallisiert tetragonal in der Raumgruppe I4/mmm mit a = 3,9411(7) und c = 17,1395(40) A und Z = 4. Zwecks Verfeinerung der Strukturparameter wurden Intensitatsmessungen auf einem Vierkreis-Einkristalldiffraktometer durchgefuhrt. Durch Indizierung der Debye-Scherrer-Diagramme konnte die Isotypie der ubrigen neu synthetisierten ternaren Thoriumphasen nachgewiesen werden. Der vorliegende Strukturtyp ist identisch mit dem anti-Ti2Bi-Typ und weist eine enge Verwandtschaft mit dem PbFCl-Typ im Sinne einer Stapelvariante auf. Die interatomaren Abstande, die Beziehungen zu verwandten Strukturen und mogliche Grunde fur das Auftreten des anti-Ti2Bi-Typs bei ternaren Chalkogeniden der Aktiniden werden diskutiert. On Thorium Silicide and Germanide Chalcogenides The compounds ThSiS, ThSiSe, ThSiTe, ThGeS, ThGeSe, and ThGeTe were synthetized from the elements at temperatures ranging from 800 to 1050°C. For structural X-ray investigation single crystals of the compound ThGeS were grown. ThGeS is tetragonal, space group I4/mmm with a = 3.9411(7), c = 17.1395(40) A, and Z = 4. In order to refine the structure parameters intensity measurements were carried out by means of a four-circle single crystal diffractometer. By indexing the Debye-Scherrer diagrams the remaining ternary thorium chalcogenides were proved to be isostructural with ThGeS. This structure type is identical with the anti-Ti2Bi-type structure and closely related to the PbFCl structure in the sense of a transposition structure. The interatomic distances, the relations to comparable structures and possible reasons for the formation of the anti-Ti2Bi-type structure by ternary chalcogenides of the actinides are discussed.