МАТРИЧНЫЕ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ УЛЬТРАФИОЛЕТОВОГО ДИАПАЗОНА НА ОСНОВЕ АЛМАЗА

Рассмотрены принципы построения и технология создания матричных фотоприемных устройств ультрафиолетового излучения на основе алмаза. Проведены измерения спектральных, вольт-амперных характеристик, темновых токов и токов утечки при различных прикладываемых напряжениях для линейных (2 ? 64) и матричных (64 ? 64) фотоприемных устройств. Впервые показана принципиальная возможность создания таких структур, обладающих высокой чувствительностью. Показано, что поверхностные токи утечки играют доминирующую роль в ограничении фоточувствительности данных структур. Обнаружен значительный разброс темнового тока и фототока матричных фотоприемников на основе натурального алмаза, связанных с неоднородностью дефектной структуры.