Structure de modulation optique et modulateur optique

L'invention porte sur des composants qui sont une couche de gaine inferieure (102), une premiere couche de silicium (103) qui est formee sur la couche de gaine inferieure (102) sous la forme d'un corps unique fait de silicium d'un premier type de conduction et qui a une region de plaque (105) qui est disposee au niveau d'une âme (104) et sur les deux cotes de l'âme (104) et se relie a l'âme, une section concave (104a) qui est formee dans la surface superieure de l'âme (104), et une seconde couche de silicium (109) d'un second type de conduction qui est formee a l'interieur de la section concave (104a) avec une couche dielectrique intermediaire (108) remplissant l'interieur de la section concave (104a).