Procédé de fabrication d'un émetteur sélectif amélioré pour cellules solaires au silicium

L'invention concerne la formation d'un emetteur selectif sur une cellule solaire au silicium. Dans un mode de realisation, le procede consiste a former une couche d'oxyde sur une surface d'un substrat en silicium de type P, a implanter des atomes dopants de phosphore dans la couche d'oxyde du substrat a l'aide d'une implantation ionique en immersion dans un plasma, a former des motifs au niveau de la couche d'oxyde, a recuire le substrat pour produire des zones fortement dopees dans les regions ayant recu un motif et une zone legerement dopee entre les regions ayant recu un motif, et a disposer des contacts metalliques dans les zones fortement dopees.