Ｃｍｐ研磨方法、ｃｍｐ装置、半導体装置及びその製造方法

【課題】１回の研磨処理によって正確な狙い膜厚が得られるＣＭＰ研磨方法、ＣＭＰ装置、半導体装置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】モニター用ウエハで研磨レートを測定する第１工程と、複数の製品用ウエハから一部を抜き取り、抜き取った一部の製品用ウエハの初期膜厚を測定し、前記初期膜厚と研磨後の狙い膜厚と前記研磨レートから研磨時間を導出する第２工程と、前記一部の製品用ウエハに対して前記研磨時間の研磨処理を行う第３工程と、前記第３工程での研磨処理後の膜厚を測定し、前記膜厚と狙い膜厚から研磨不足時間を導出する第４工程と、前記研磨不足時間と前記第２工程で導出した研磨時間とから理想研磨時間を導出する第５工程と、前記第２工程で一部が抜き取られた製品用ウエハの残りを前記理想研磨時間で研磨処理する第６工程と、前記第６工程の後又は前記第１工程乃至第６工程の途中で、前記第１工程で測定した研磨レートと前記第５工程で導出した理想研磨時間をデータとして保存し、前記第１工程乃至第６工程を繰り返し行うことにより研磨レートと理想研磨時間のデータを複数保存し、これら複数のデータから研磨レートと理想研磨時間の関係を導く第７工程と、を具備するＣＭＰ研磨方法。 【選択図】 図２