Implants à base d’azote pour la réduction de défauts dans du silicium contraint

Dans la presente invention, un transistor (200) est fabrique sur un substrat semi-conducteur (202), la limite d’elasticite ou l’elasticite du substrat etant augmentee ou adaptee d'une autre facon. Une couche induisant une contrainte (236) est disposee sur le transistor pour lui appliquer une contrainte pour alterer les caracteristiques de fonctionnement du transistor, et plus particulierement pour augmenter la mobilite des porteurs a l’interieur du transistor. L’augmentation de la mobilite des porteurs permet de reduire les dimensions du transistor sans entraver le fonctionnement desire du transistor. En revanche, une contrainte et une temperature elevees associees a la fabrication du transistor entrainent une deformation plastique deletere. La limite d’elasticite du substrat en silicium est donc adaptee en incorporant de l'azote dans le substrat, et plus particulierement dans les zones d'extension de source/drain (220,222) et/ou dans les zones de source/drain (228,230) du transistor. L’azote peut etre facilement incorpore pendant la fabrication du transistor en l’ajoutant comme une partie de la constitution des zones d'extension de source/drain et/ou de la constitution des zones de source/drain. La limite d’elasticite augmentee du substrat attenue la deformation plastique du transistor causee par la couche induisant la contrainte.