Education Heteroepitaxieschichten with rapid thermal processing to remove dislocations

Verfahren und Vorrichtungen fur die Bauelementherstellung von Galliumnitrid-Bauelementen durch Aufwachsen einer Galliumnitridschicht auf einem Siliziumsubstrat unter Verwendung von Atomschichtabscheidung (ALD), gefolgt von schneller thermischer Ausheilung werden offenbart. Galliumnitrid wachst direkt auf Silizium oder auf einer Barrierenschicht von Aluminiumnitrid, das auf dem Siliziumsubstrat aufgewachsen ist, auf. Eine oder beide Schichten werden durch schnelle thermische Ausheilung thermisch bearbeitet. Vorzugsweise verwendet der ALD-Prozess eine Reaktionstemperatur unterhalb 550°C und vorzugsweise unterhalb 350°C. Der schnelle thermische Ausheilungsschritt erhoht die Temperatur der Beschichtungsoberflache auf eine Temperatur im Bereich von 550 bis 1500°C fur weniger als 12 ms.