Low‐Temperature FMR and FMAR Measurements of Metal Single Crystals. II. Saturation Magnetization, Magnetocrystalline Anisotropy, and g‐Factor Determination

FMR and FMAR fields measured on Fe—3.16 wt% Si single crystals between 3.5 and 300 K at microwave frequencies between 35 and 96 GHz are used to evaluate the saturation magnetization μ0Ms, the first magnetocrystalline anisotropy constant K1, and the g-factor temperature dependences with accuracies of ±0.5 mT, ±0.15 kJ/m3, and ±0.0004, respectively. The g-factor is found to be temperature independent and the temperature dependence of μ0Ms is described according to the spin-wave theory. Die an Fe—3,16% Si-Einkristallen zwischen 3,5 und 300 K und bei Mikrowellenfrequenzen zwischen 35 und 96 GHz gemessenen FMR- und FMAR-Felder werden zur Berechnung der Temperaturabhangigkeit der Sattigungsmagnetisierung μ0Ms (±0,5 mT), der ersten magnetokristallinen Anisotropiekonstanten K1 (±0,15 kJ/m3) und des g-Faktors (±0,0004) benutzt. Es wird gefunden, das der g-Faktor unabhangig von der Temperatur ist und die Temperaturabhangigkeit von μ0Ms wird mit Hilfe der Spinwellentheorie beschrieben.