発光デバイスの製造方法、発光デバイス、ＧａＮ基板の製造方法およびＧａＮ基板

【課題】 酸素をｎ型ドーパントとして取り込んだｎ型窒化ガリウム単結晶基板、その製造方法とその上に発光デバイスを製造する方法と発光デバイスを提供すること。 【解決手段】 非Ｃ面を上面にもつ種結晶を用いて、ガリウム原料と窒素原料とドーピングすべき酸素を含む原料ガスを供給しながら窒化ガリウム結晶を気相成長させることにより非Ｃ面を通して酸素をドーピングする。得られたｎ型基板の上に底面にｎ電極を有するＬＥＤ、ＬＤの発光デバイスを製造する。または、Ｃ面を表面にもつ種結晶を使って、ガリウム原料と窒素原料とドーピングすべき酸素を含む原料ガスを供給しながら逆六角錐、十二角錐ファセット面を発生させファセット面を保ちつつ窒化ガリウム結晶を気相成長させファセット面を通して酸素をドーピングする。ファセット面で成長した部分に酸素がドープされている。 【選択図】 図２