Implants à faible dose d'extension pour la fabrication de sram

L'invention concerne une methode de fabrication de memoire a acces direct statique consistant a former un empilement de grille sur un substrat, former des couches intercalaires isolantes adjacentes a l'empilement de grille, les couches intercalaires isolantes et l'empilement de grille ayant une longueur de grille, former une region source et une region drain adjacentes a l'empilement de grille, ce qui produit une largeur de grille efficace, les regions source et drain etant formees a partir d'un implant a faible dose d'extension qui fait varier la difference entre la longueur de grille et la longueur de grille efficace.