Semiconductor devices and methods for their preparation

Es werden Ausfuhrungsformen von Halbleiterbauelementen und Verfahren zur Herstellung der Halbleiterbauelemente angegeben. Das Verfahren umfasst das Bilden einer Aussparung in einem Halbleitergebiet lateral benachbart zu einer Gateelektrodenstruktur eines Transistors, Die Gateelektrodenstruktur ist auf einem Kanalgebiet einer ersten Silizium-Germanium-Legierung ausgebildet. Es wird eine verformungsinduzierende Silizium-Germanium-Legierung in der Aussparung hergestellt, die mit der ersten Silizium-Germanium-Legierung in Kontakt ist. Die verformungsinduzierende Silizium-Germanium-Legierung enthalt Kohlenstoff und weist eine andere Zusammensetzung auf als die erste Silizium-Germanium-Legierung.