ИССЛЕДОВАНИЕ МОП-СТРУКТУР НА ОСНОВЕ HFO2/SIO2/N-SI(001) МЕТОДОМ БАЛЛИСТИЧЕСКОЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ЭМИССИОННОЙ МИКРОСКОПИИ

Методом баллистической электронной эмиссионной микроскопии (БЭЭМ) исследованы МОП-структуры Ме/HfO2/Si (Ме = Au, Pt) с тонким ( 0.5 нм) промежуточным слоем SiO2 между HfO2 и Si, формируемым в ходе атомного послойного осаждения (АПО) оксидных слоев. Экспериментально определены значения высоты потенциального барьера на границе Ме/HfO2. На графиках зависимости коллекторного тока от напряжения между СТМ-зондом и Me-электродом наблюдались особенности, связанные с транспортом электронов через вакансионную дефектную зону в HfO2, а также с квантово-механической интерференцией электронных волн при многократном отражении от границ раздела в двухслойном диэлектрике и от границ раздела диэлектрика с подложкой и металлическим электродом.