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C-10-5 GaN HEMTの電界とゲートドレイン間容量のトレードオフとPAEへの影響についてのシミュレーション解析(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
C-10-5 GaN HEMTの電界とゲートドレイン間容量のトレードオフとPAEへの影響についてのシミュレーション解析(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
2012
yuutarou yamaguti
kazuo hayasi
tosiyuki ooisi
hirosi ootuka
hidetosi oyama
sen suguru kamo
kouzi santyuu
masatosi nakayama
yasu sati miyamoto
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