Method and system for producing a III-V compound semiconductor and group III-V compound semiconductor

In einem Halbleiterherstellungssystem zur Herstellung eines Verbindungshalbleiters durch MOCVD ist ein Einlaufteil zum Leiten von Speisegas, das aus einer Speisegas-Zufuhreinheit zugefuhrt wird, auf die Oberflache eines in einem Reaktor angeordneten Halbleitersubstrats vorgesehen, ein Hauptkorper des Einlaufteils ist durch ein Hohlteil so gebildet, das es einen Speisegas-Leitkanal zum Leiten des Speisegases in einer vorgeschriebenen Richtung bildet, und ist mit mehreren Offnungen ausgebildet, und das Speisegas im Speisegas-Leitkanal wird aus den Offnungen in senkrechter Richtung zur vorgeschriebenen Richtung so ausgestosen, das das Halbleitersubstrat in einer Speisegasstromung gebadet wird, die aus dem Einlaufteil auf diese Weise ausgestosen wird. Ferner kann durch eine Druckdifferenz, die zwischen der Innenseite und Ausenseite des Dusenteils erzeugt wird, das aus dem Dusenteil ausgestosene Speisegas uber die gesamte Oberflache des Substrats mit einer gleichmasigen Stromungsgeschwindigkeit stromen. Die mehreren Speisegase werden einzeln in die Umgebung des Substrats geleitet, und das Blasegas blast die mehreren Speisegase zum Substrat, um einen gewunschten Dunnfilmkristall vorteilhaft zu bilden.