新規なラクトン含有化合物、高分子化合物、レジスト材料及びパタ―ン形成方法

(57)【要約】 【構成】 下記一般式（１）で示されるラクトン含有化 合物。 【化１】 （式中、Ｒ 1 は水素原子、メチル基又はＣＨ 2 ＣＯ 2 Ｒ 5 を 示す。Ｒ 2 は水素原子、メチル基又はＣＯ 2 Ｒ 5 を示す。 Ｒ 3 は炭素数１〜８の直鎖状、分岐状又は環状のアルキ ル基を示す。Ｒ 4 は水素原子又はＣＯ 2 Ｒ 5 を示す。Ｒ 5 は 炭素数１〜１５の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基 を示す。ＸはＣＨ 2 、ＣＨ 2 ＣＨ 2 、Ｏ又はＳを示す。） 【効果】 本発明の高分子化合物をベース樹脂としたレ ジスト材料は、高エネルギー線に感応し、感度、解像 性、エッチング耐性に優れているため、電子線や遠紫外 線による微細加工に有用である。特にＡｒＦエキシマレ ーザー、ＫｒＦエキシマレーザーの露光波長での吸収が 小さいため、微細でしかも基板に対して垂直なパターン を容易に形成することができるという特徴を有する。