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依頼講演 1.5ns/2.1nsのランダム読出/書込サイクル時間を達成した不揮発性混載メモリ用1Mb STT-MRAM : 6T2MTJセルにバックグラウンド書き込み(BGW)方式を適用 (集積回路)
依頼講演 1.5ns/2.1nsのランダム読出/書込サイクル時間を達成した不揮発性混載メモリ用1Mb STT-MRAM : 6T2MTJセルにバックグラウンド書き込み(BGW)方式を適用 (集積回路)
2014
takasi oosawa
hirosi ki koike
sadahiko miura
keizou kinosita
hiroaki honjou
syouzi ikeda
takahiro hanyuu
hideo oono
teturou endou
Keywords:
Computer science
Non-volatile memory
Optoelectronics
Power gating
Magnetoresistive random-access memory
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