Treating method and treating device of silicon substrate

본 발명은, 실리콘막의 표면에 형성된 실리콘 산화막을 효과적으로 제거하고, 실리콘막 표면의 균일도를 높여주기 위한 것으로, 실리콘막을 포함하는 기판을 준비하는 단계와, 상기 기판의 표면에 실리콘 산화막을 에칭할 수 있는 제1액을 제1시간대로 제공하는 단계와, 상기 기판의 표면에 물을 포함하는 제2액을 상기 제1시간대와 다른 제2시간대로 제공하는 단계와, 상기 기판의 표면에 상기 실리콘 산화막을 에칭할 수 있고 상기 제1액과 다른 성분을 가지며 상기 제1액보다 실리콘 산화막에 대한 에칭율이 큰 제3액을 상기 제1시간대 및 제2시간대와 다른 제3시간대로 제공하는 단계를 포함하는 실리콘 기판의 처리 방법 및 그 장치에 관한 것이다.