Dispositif a faisceau d'electrons et procede de production de dispositifs a semi-conducteur utilisant ledit dispositif a faisceau d'electrons
2001
L'invention concerne un dispositif a faisceau d'electrons servant a appliquer un faisceau d'electrons primaires sur un echantillon et a detecter un faisceau d'electrons secondaires produit par rayonnement a partir d'une surface de l'echantillon afin d'evaluer la surface de l'echantillon. Ledit dispositif a faisceau d'electrons est caracterise en ce que la cathode d'un canon a electrons emettant le faisceau d'electrons primaires comprend une pluralite d'emetteurs disposes a intervalles reguliers sur un cercle centre sur l'axe optique d'un systeme optique a electrons primaires, lesquels emetteurs emettent un faisceau d'electrons primaires. Ledit dispositif a faisceau d'electrons est egalement caracterise en ce que les emetteurs sont disposes de sorte que les points projetes sur une ligne parallele a la direction de balayage du faisceau d'electrons primaires sont disposes a intervalles reguliers.
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