p型半導体の性能を持つ酸化銅(I)膜の製造方法および該膜作成用の溶液の製造方法
2009
【課題】p型半導体の性能を持つ酸化銅(I)膜の製造方法および該膜作成用の溶液の製造方法を提供する。 【解決手段】アンモニア、アミン化合物から選ばれる1種以上の化合物と銅アミノポリカルボン酸錯体、銅ポリカルボン酸錯体から選ばれる1種以上の銅のキレート錯体が極性溶媒に溶解している酸化銅膜を形成せしめるに適した溶液を基材表面に塗布した後、不活性ガス中にて300℃〜700℃で1分から3時間の熱処理することにより、p型半導体の性能を持つ酸化銅(I)膜を得ることができる。 【選択図】図1
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