Procede de gravure dielectrique par plasma comprenant une elimination de polymere de cote arriere ex-situ pour un materiau a faible constante dielectrique.

L'invention concerne un procede de gravure par plasma pour attaquer une couche dielectrique d'oxyde de silicium dopee au carbone, poreuse, a l'aide d'un masque de photoresist effectue tout d'abord dans un reacteur de gravure par la realisation d'un procede de gravure a base de fluorocarbure sur la piece a travailler pour attaquer des parties exposees de la couche dielectrique tout en deposant un polymere fluorocarbone protecteur sur le masque de photoresist. Ensuite, dans un reacteur d'incineration, le polymere et le photoresist sont retires par chauffage de la piece a travailler a une temperature superieure a 100 degres C, exposition d'une partie peripherique du cote arriere de ladite piece a travailler et introduction de produits provenant d'un plasma d'un gaz de traitement hydrogene pour reduire le carbone contenu dans le polymere et le photoresist sur ladite piece a travailler jusqu'a ce que le polymere ait ete retire d'un cote arriere de ladite piece a travailler. Le gaz de traitement contient, de preference, a la fois de l'hydrogene gazeux et de la vapeur d'eau, bien que le constituant principal soit l'hydrogene gazeux. Le cote arriere de la plaquette (piece a travailler) peut etre expose par extension des broches de soulevement de plaquette.