Transistor a couches minces et procede de fabrication associe

L’invention concerne un transistor a couches minces comprenant, sur un substrat pourvu d’une surface isolante : une couche isolante de grille recouvrant une electrode grille; une couche semiconductrice servant de zone de formation de canaux; et une couche semiconductrice contenant un element d’impurete conferant un type de conductivite. La couche semiconductrice presente un etat dans lequel une pluralite de particules cristallines sont dispersees dans un silicium amorphe et ces particules cristallines presentent une forme conique ou pyramidale renversee. Les particules cristallines croissent quasiment radialement dans le sens de depot de la couche semiconductrice. Les sommets des particules cristallines de forme conique ou pyramidale renversee sont situes a distance d’une interface entre la couche isolante de grille et la couche semiconductrice.