The power semiconductor module and method for manufacturing a power semiconductor module

Die Erfindung ist ein Leistungshalbleitermodul (10) mit einer Halbleiterschaltung (12) mit einer Mehrzahl von in einem gemeinsamen Gehause (18) angeordneten Leistungshalbleitern, die sich durch zumindest einen im gleichen Gehause (18) angeordneten und in dem Leistungshalbleitermodul (10) als Zwischenkreiskondensator (16) fungierenden Kondensator mit zumindest einem ersten Anschlusselement (20) und einem zweiten Anschlusselement (22) auszeichnet, sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung, wobei ein elektrisch leitender Kontakt zwischen den Anschlusselementen (20,22) und der Halbleiterschaltung (12) mittels des Gehauses (18) bewirkbar ist, indem mittels des Gehauses (18) eine Kraft auf die Anschlusselemente (20, 22) ausubbar ist, welche die Anschlusselemente (20, 22) in Kontakt mit Kontaktflachen (26,28) der Halbleiterschaltung (12) halt.