Au／n—ZnO／p—SiC紫外探测器的研制和特性分析

采用宽禁带半导体n-ZnO和金属Au作肖特基接触，n-ZnO和同为宽禁带半导体p-SiC形成异质结，Ti，Ni，Ag合金作背底形成欧姆接触，研制出Au／n-ZnO／p-SiC结构的紫外探测器．测试分析了该器件的光谱响应特性，响应范围为200～400nm，在室温和一定反偏压下，响应峰值为313nm，半宽为65nm．同时测试分析了该器件的I-V特性，室温下，反向工作电压大于5V，反向击穿电压为70V．实验表明，此结构紫外探测器具有良好的紫外响应特性以及较低的反向漏电流和结电容．