多晶硅薄膜(CVD)中硼杂质的剖面分析

G·C·Jain等曾对高温扩散到太阳能等级的多晶硅和单晶硅中的硼作过剖面分析:用阳极氧化对硅层逐次减薄,每次减薄后,用四探针法测剩余硅层的薄层电阻,通过对薄层电阻与剩余硅层厚度(距表面深度)关系的测定,求得硼的剖面分布曲线。我们建立了与此相类似的,更为简单易行的剖面分析方法,用化学腐蚀代替阳极氧化,依据实验数据作图,求出杂质分布剖面,并对CVD法制备的多晶硅膜作了硼杂质的剖面分析。此方法虽不如用具有电子枪剥离装置的俄歇(Auger)电子能谱仪作剖面分析快,但操作及设备简单,可代替俄歇能谱作杂质剖面分析。