후막의 네가티브 포토레지스트용 박리액 조성물

본 발명은 포토레지스트 제거용 박리액 조성물에 관한 것으론, 본 발명에 따른 조성물은 1 내지 5 중량%의 화학식(1)로 표시되는 화합물, 70 내지 95 중량%의 극성 유기 용매, 0.1 내지 5 중량%의 하이드록사이드계 화합물 및 나머지량의 물을 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의한 박리액 조성물은 특히 박리액 조성물 내에 부식방지제를 포함하지 않고 화학식(1)로 표시되는 화합물을 적정량 포함함으로써 효과적으로 단시간 내에 박리 공정을 완료할 수 있으며 다른 공정에 비해 상대적으로 높은 공정온도에서 수행되는 박리 공정에서 조성변화를 최소화할 수 있다. 또한 부식방지제를 포함하지 않음으로써 비수용성인 부식방지제 흡착에 의한 증착 불량과 같은 후공정 불량을 방지하면서 전극 손상을 막을 수 있게 한다.