Etude de diodes Schottky réalisées sous ultra-vide par dépôt d'aluminium ou d'argent sur GaP type N clivé

Forward I(V) and reverse 1/C 2 (V) results obtained for Al/GaP and Ag/GaP Schottky diodes achieved under ultra-high vacuum condition on cleaved n type bars are presented. Both unannealed and annealed (650 K, an hour) cleaved (110) surfaces have been used. These surfaces where previously caracterized by work function and AES measurements [1,2]. The I(V) Schottky barrier is in the 1.1-1.2 eV range. Results can be explained by considering that buried interface states account for the height and the shape of the barrier and can also contribute to the current transport On presente les resultats de la caracterisation I(V) en direct et 1/C 2 (V) en inverse de diodes Schottky Al/GaP et Ag/GaP realisees sous ultra-vide sur la face (110) clivee d'un barreau de type n. Deux types de surfaces ont ete utilisees: les surfaces vierges et les surfaces recuites a 650 K pendant une heure. Ces surfaces ont prealablement ete etudiees a la sonde de Kelvin et par spectroscopie Auger. Nous proposons une explication basee sur la presence d'etats d'interface enfouis, determinant la hauteur et la forme de la barriere et pouvant participer au transport du courant