Elaboration et caractérisation de transistors MISFET sur InP

Cette these concerne la passivation de l'interface isolant/inp dans les structures mis et le developpement d'un procede de fabrication de transistor misfet sur inp. Les structures sin h/inp ont ete fabriquees par pecvd avec un plasma enrichi en arsine. Un procede de fabrication de transistors misfet-canal n a enrichissement a ete realise. L'imagerie de photoluminescence a ete utilise de facon systematique comme outil de controle de fabrication pour optimiser certaines etapes critiques (recuit d'implantation, gravures) et pour tester l'uniformite et la reproductibilite des operations technologiques