Old Web
English
Sign In
Acemap
>
Paper
>
Caractérisation et modélisation en petit signal de transistor bipolaire à hétérojonction Si/SiGe:C jusqu'à 220 GHz
Caractérisation et modélisation en petit signal de transistor bipolaire à hétérojonction Si/SiGe:C jusqu'à 220 GHz
2013
Marina Deng
Correction
Source
Cite
Save
Machine Reading By IdeaReader
0
References
0
Citations
NaN
KQI
[]