Reducing the defect rate during the deposition of a semiconductor alloy channel in an in-situ sunken active region

Verfahren in der Massenproduktion mit: Einrichten einer ersten Prozessatmosphare (211, 212) in einer ersten Prozessumgebung (210); Bilden eines Grabenisolationsgebiets (202t) in einer Halbleiterschicht (202) eines Halbleiterbauelements (200) in der ersten Prozessatmosphare (211, 212) derart, dass ein aktives Gebiet (202a) in der Halbleiterschicht lateral begrenzt wird; Bilden einer Vertiefung (202r) in dem aktiven Gebiet (202a) durch Einrichten einer Atzatmosphare auf der Grundlage von Salzsaure (HCl) in einer zweiten Prozessumgebung; Bilden eines schwellwertspannungseinstellenden Halbleitermaterials (203a) in der Vertiefung (202r) durch Einrichten einer Abscheideatmosphare in der zweiten Prozessumgebung; und Bilden einer Gateelektrodenstruktur (260) eines Transistors (250a) auf dem schwellwertspannungseinstellenden Halbleitermaterial (203a); und wobei Einrichten einer ersten Prozessatmosphare (211, 212) in einer ersten Prozessumgebung (210) umfasst: Verwenden von ausschlieslich nicht-Aluminiumgeratekomponenten in einer oder mehreren Prozesskammern, die in der ersten Prozessumgebung (210) verwendet werden.