ELABORATION ET CARACTERISATION DES COUCHES MINCES DE CuIn0.75Ga0.25Se2 POUR DES APPLICATIONS PHOTOVOLTAIQUES

Des couches minces de CuIn0.75Ga0.25Se2 ont ete preparees par evaporation flash sous vide, sur des substrats de verre et de molybdene portes a une temperature de 300°C. Par la suite les films ont subi des recuits a 350°C, durant 30mm sous atmosphere de selenium.L’examen des spectres de diffraction de RX, montre une bonne cristallinites des couches et une orientation preferentielle selon le plan (112). Les proprietes des couches ont fait egalement l’objet d’une etude. Les analyses des spectres de transmission montrent un front d’absorption net. A partir des courbes (ahu)2 en fonction de l’energie hu, nous avons determine le gap optique (Eg) qui est egal a 1.00 eV. Cette valeur a augmentee a 1.18 eV (energie de transition du materiau) sous l’influence d’un recuit selenisant a 350°C. Des cellules solaires a base de ces couches ont ete realisees en donnant des resultats encourageants.