Carte de circuit imprimé et dispositif d'affichage

Selon l'invention, les couches d'electrode de source et de drain (3s, 3d) d'un element TFT a oxyde (3) comprennent chacune une premiere couche conductrice, l'electrode de grille (3g) de l'element TFT a oxyde (3) et l'electrode de grille (5g) d'un element a-SiTFT (5) comprennent chacune une deuxieme couche conductrice (les deux electrodes de grille se composent de la meme couche conductrice), et les couches d'electrode de source et de drain (5s, 5d) de l'element a-SiTFT (5) comprennent chacune une troisieme couche conductrice, la troisieme couche conductrice etant formee au-dessus de la deuxieme couche conductrice et la premiere couche conductrice etant formee en dessous de la deuxieme couche conductrice, quand on regarde dans la direction de l'epaisseur des couches conductrices laminees sur un substrat isole (2). Cette constitution permet la fabrication d'une carte de circuit imprime presentant une amelioration du degre d'integration d'elements transistors formes sur un substrat isole dispose a l'interieur.