Thermoélectriques à hétérostructure à couche mince dans un système de matériaux des groupes iia et iv-vi

L'invention concerne des modes de realisation d'un materiau thermoelectrique a heterostructure a couche mince et ses procedes de fabrication. En general, le materiau thermoelectrique est forme dans un systeme de materiaux des groupes IIa et IV-VI. Le materiau thermoelectrique comprend une heterostructure epitaxique et presente des performances de pompage de chaleur et de facteur de qualite en termes de coefficient Seebeck, de conductivite electrique et de conductivite thermique sur de larges plages de temperature grâce a une ingenierie appropriee et une optimisation judicieuse de l'heterostructure epitaxique.