W-Mo复合离子掺杂VO 2 薄膜热滞回线的热调制现象

以单晶Si (100)为基底, 采用无机溶胶–凝胶法在其表面制备W-Mo复合离子掺杂VO 2 薄膜。采用SEM、XRD等手段分析了薄膜的表面形貌和晶体结构。在热驱动下, 利用原位FTIR分析了W-Mo复合离子掺杂VO 2 薄膜半导体–金属相变性能。结果显示: 单晶Si (100)表面VO 2 薄膜具有(011)择优生长取向, W 6+ 、Mo 6+ 取代了V 4+ 在晶格中的位置, 实现置换掺杂。热滞回线分析表明, 与未掺杂VO 2 薄膜相比, V 1- x - y Mo x W y O 2 薄膜相变温度降低, 滞后温宽减小, 同时相变陡然性变差, 相变温宽增大; 在相变温度区间内, 温度路径对红外透过率具有调制效果, 其调制作用受原始热滞回线的制约。