HDI-Technologie und die Zukunft der Leiterplatte

2004 
Die letzten funf bis zehn Jahre haben eine Technologieexplosion in Forschung und Entwicklung der Leiterplatte gebracht. Die grosten Herausforderungen fur Leiterplattenproduzenten stellten hierbei die Einfuhrung des Laserbohrens sowie die notwendig gewordenen Design-Richtlinien von 100 µm Leiterbreite und Leiterabstand und die haufige Anwendung von „State of the Art“ Ball Grid Arrays (BGA) mit 800 µm Rastermas dar. Die rasante Weiterentwicklung der Halbleiterbauteile bedingte immer kleinere Rastermase, was fur die Leiterplattenproduzenten eine weitere Herausforderung darstellt. Bereits die Reduzierung des Rastermases von 800 µm auf 500 µm ist ein groser Schritt fur die Leiterplattenfertigung. Der derzeitig weitere Miniaturisierungsgrad macht jedoch den Ubergang auf eine 75-µm-Technologie notwendig. Dadurch bricht fur die Leiterplatte ein neues Zeitalter an. Die Leiterbreite und der Leiterabstand werden immer kritischer, und die kleiner werdenden Rastermase benotigen kleinere Laserbohrungen. Damit steigen die Anforderungen an den Schaltungstrager extrem an. Vor allem die Basismaterialien und Registrationsverfahren mussen wesentlich verbessert werden, um diese Trager mit hoher Ausbeute und zu wettbewerbsfahigen Kosten produzieren zu konnen. Die Beibehaltung groser Arbeitsformate wird uber Sieg oder Niederlage im Preiskampf entscheiden. Ausgehend vom Stand der Technik hat sich der vorliegende Beitrag zum Ziel gesetzt, dem Leser Erfahrungen und Zielvorstellungen der AT&S von der Etablierung dieser neuen Technologie naher zu bringen. Besonders hervorgehoben werden dabei die Bereiche Registration, Strukturierung, Basismaterial, Laserbohren, mechanisches Bohren sowie die zukunftig notwendigen neuen Oberflachen.
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